ダイあたり最大48GBの大容量NANDフラッシュが登場

IntelおよびMicronは、フラッシュセルを32枚積層させた「3D NANDフラッシュ」を発表した。

超高精細なセルレイヤーを積層することで、競合のNAND技術に比べて容量を3倍に拡張しているのが特徴。MLCならダイあたり32GB、TLCなら48GBのNANDフラッシュを作成でき、mSATAやM.2のようなスティック型で3.5TB、2.5インチであれば10TBを超える大容量SSDを実現できるとしている。

またこれまでの平面構造NANDに比べて、帯域幅が拡大されシーケンシャル性能が向上。またランダム読込の高速化、スタンバイモードによる省電力性の向上、ギガバイトあたりのコストパフォーマンスの向上といったメリットがある。

なお32GB MLCは本日から、48GB TLCは今春後半からそれぞれサンプル出荷がスタート。NANDフラッシュの量産は2015年第4四半期で、対応SSDは2016年より量産製品の提供が開始される予定。

文： GDM編集部 池西 樹
Intel Corporation： http://www.intel.co.jp/
Micron Technology： http://www.micron.com/