SRAM並のランダムアクセス性能を誇る不揮発性メモリMRAMを採用

「MRAM NVM Express Card」は、SRAM並のランダムアクセス性能を備えた、次世代不揮発性メモリMRAMを採用するNVMe SSD。

MRAM技術を得意とするEverspin社との提携により開発された製品で、転送速度は4Kランダムアクセスが150万IOPS以上、レイテンシは6μs。ハイエンドサーバーシステムのストレージアクセラレーションやメタデータキャッシュ、オンライントランザクションキャッシュなどに好適としている。

今回のサンプルモデルのフォームファクタはPCIe HHHL、容量は1GB。なおこの製品は本日8日よりカリフォルニア州サンタクララで開催される「Flash Memory Summit 2017」で、実機の展示が行われる予定。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
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