NANDフラッシュの約10倍となるパフォーマンスを実現

「STT-MRAM」の実動デモの様子。標準的なNANDフラッシュに比べると、アクセス速度は約8倍～10倍高速だ

次世代不揮発性メモリとして期待されている「STT-MRAM」の実動デモが、TDKブースで実施された。担当者によれば、展示会のような一般公開では初の試みということで、実用化に向けて大きな一歩を踏み出したことになる。

デモ機に取り付けられた「STT-MRAM」は製造プロセス90nm、容量は8Mbit

「STT-MRAM」は、TDKが研究・開発をしている電荷および磁化制御技術「スピントロニクス」を応用。磁力によってデータを書き込むため、不揮発性ながら1～100nsという高速動作を実現し、モバイル端末のキャッシュメモリやHDDキャッシュなどの次世代メモリとして有望視されている。

「スピントロニクス」技術を応用することで、不揮発性ながら高速なアクセスを実現した

ちなみに今回のデモは、製造プロセス90nm、容量8Mbit（1MB）の製品にて行われているが、NANDフラッシュとの比較では約8～10倍という高いパフォーマンスを実現していた。

文： GDM編集部 池西 樹
CEATEC JAPAN 2014： http://www.ceatec.com/ja/