2012.10.26 16:24 更新
2012.10.25 配信
IDTから最高1866MHz動作に対応した低電圧DDR3 LRDIMM向けメモリバッファ「MB3518」が発表された。
LRDIMMはコントローラとメモリチップ間の通信にバッファ回路を設けることで、I/Oバスの負荷を減らし、メモリの大容量化と高速化を実現したサーバー向けメモリ規格。
「MB3518」では、1.5Vもしくは1.35Vの省電力動作を実現し、転送速度を維持したままサーバーの消費電力削減が可能。特に大容量メモリを実装する必要のあるクラウド向けサーバーなどで効果が高い。
外形寸法はW13.5×25.2mm、パッケージはFCBGA 588pin。対応クロックはDDR3-800/1066/1333/1600/1866MHz。なお既にサンプル出荷が開始されており、Micron Technology(本社:アメリカ アイダホ州)から搭載製品が登場する予定。
文: GDM編集部 池西 樹
Integrated Device Technology, Inc.: http://www.idt.com/