約1割省電力の低電圧設計DDR3 SODIMM、バッファロー「D3N1600」シリーズ

2012.11.28 20:41 更新

2012.11.28 配信

株式会社バッファロー（本社：愛知県名古屋市）は2012年11月28日、低電圧動作によりノートPCのバッテリー消費が低減できる、DDR3 SODIMM「D3N1600」シリーズ3容量を発表した。ラインナップは「D3N1600-L8G」（8GB）、「D3N1600-L4G」（4GB）、「D3N1600-L2G」（2GB）が用意され、12月中旬より順次発売が開始される。

通常電圧メモリから約1割省電力設計のDDR3 SODIMM

D3N1600シリーズ
D3N1600-L8G（8GB）　市場想定売価税込19,950円（12月中旬発売）
D3N1600-L4G（4GB）　市場想定売価税込9,345円（12月中旬発売）
D3N1600-L2G（2GB）　市場想定売価税込5,775円（2013年1月中旬発売）
http://buffalo.jp/product/memory/sodimm/d3n1600-l/

通常電圧1.5Vに対し、約1割省電圧設計の1.35V対応低電圧DDR3 SODIMMの新製品。低電圧設計により、ノートPC等のバッテリー消費が低減できる。なおメモリ規格はDDR3L-12800（DDR3L-1600）で、JEDECに準拠。

CASレイテンシはCL=11で、製品保証は6年間。ちなみに1.5Vの通常電圧でも使用可能で、最大消費電力は1.35V時で4.97W、1.5V時で6.12Wとされる。外形寸法は、W68×D4×H30mm、重量9g。

文： GDM編集部松枝清顕
株式会社バッファロー： http://buffalo.jp/

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