新時代のスマートフォン・タブレットに最適。大電流対応の超小型MOSFET

モバイルデバイスの大電流充電回路や2セル電池のスイッチに最適な超小型MOSFET「SSM6J781G」「SSM6J771G」が東芝よりリリース。高機能化によるスマートフォンやタブレットのバッテリー容量増加と、充電時間短縮のための充電電流の増加に対応する。

「高許容損失（高PD）パッケージ」に属する製品で、大電流、低オン抵抗、低容量を特徴とする。主用途は大電流充電スイッチで、推奨回路はハイサイドスイッチ（Pch）、昇圧制御LSIと併用したハイサイドスイッチ（Nch）、ローサイド電池保護用制御スイッチ（Nch）など。1.5×1.0mmサイズのWCSP6Cパッケージを採用する。

文： GDM編集部 絵踏 一
株式会社 東芝： http://www.toshiba.co.jp/