メモリセルを積層構造で配置し大容量を実現

SAMSUNGは8月5日付けプレスリリースにおいて、3次元立体構造を採用したVertical型3次元NANDフラッシュメモリの量産開始を発表した。

NANDフラッシュは、これまでプロセスルールの微細化により、容量の増加およびビット単価を抑えてきた。しかし、プロセスルールはすでに10nm世代へと突入。微細化の限界に近づいており、既存の平面構造では大幅な容量増加が難しくなっている。

そこで新たな方法として注目されているのが、メモリセルを多段積層する3次元NANDフラッシュメモリだ。今回発表されたVertical型3次元NANDフラッシュメモリは、1チップあたり最大128Gbitの大容量を実現。また独自実装技術を採用することで、10nm世代のNANDフラッシュに比べて、2～10倍という高い信頼性を確保している。

なおSAMSUNGによれば、今後さらに積層段数を増やし、1チップあたり1TbitのNANDフラッシュも視野に入れているとのこと。

文： GDM編集部 池西 樹
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