SAMSUNG、早くもVertical型3次元NANDフラッシュ搭載SSDを発表

SAMSUNGは、8月13日～15日にかけて、アメリカ サンタクララにて開催中の「Flash Memory Summit 2013」において、Vertical型3次元NANDフラッシュメモリを採用したSATA3.0（6Gbps）対応SSDを発表した。

Vertical型3次元NANDフラッシュメモリは、メモリセルを多段積層することで、大容量を実現したNANDフラッシュメモリ。SAMSUNGによれば、メモリセルの積層に独自実装技術を採用することで、平面実装のMLC NANDフラッシュに比べて、パフォーマンスは20％、消費電力は40％以上改善されているとのこと。

今回発表されたSSDは、エンタープライズ向けで、インターフェイスはSATA3.0（6Gbps）、外形寸法は、W70×D100×H7mm。容量ラインナップは960GBと480GBの2モデルで、今月より量産が開始される。

文： GDM編集部 池西 樹
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