最大32GBモジュールもラインナップされる次世代メモリ

SAMSUNGは、次世代データセンター向けDDR4メモリモジュールの量産開始を発表した。従来のDDR3メモリに比べて、大容量かつ高速化を実現。大規模アプリケーションやデータベースのパフォーマンスを向上することができる。

今回量産が開始されたモジュールは、製造プロセス20nm、転送速度は最高2,667MB/sec、DRAMチップ当たりの容量は4Gbitで、モジュール当たりの容量は16GBと32GBの2モデルがラインナップ。なお動作電圧は、明らかにされていないが、20nmクラスのDDR3メモリに比べて消費電力も25％程度改善されているとのこと。

文： GDM編集部 池西 樹
SAMSUNG電子： http://www.samsung.com/