DDR3比最大15倍の転送速度を実現した超高速メモリ

Micronは、DRAMダイを積層構造で実装することで大容量・高速伝送を実現させた、次世代メモリチップ「Hybrid Memory Cube」のサンプル出荷開始を発表した。

「Hybrid Memory Cube」では、DRAMのシリコンダイをシリコン貫通電極（Through Silicon Via：TSV）技術にて電気的に接続。これを内蔵コントローラで処理することで、高速アクセスを実現している。

ちなみに今回発表されたのは、4Gbit DRAMを4枚積層させた2GBモジュールで、1チップあたりのバンド幅は160GB/sec。Micronによれば、既存のDDR3メモリに比べて、パフォーマンスは約15倍、ビットあたりの消費電力は70％削減できるという。

なお来年には4GBモジュールのサンプル出荷も予定され、3年から5年以内にはコンシューマ向け製品が登場する予定。

文： GDM編集部 池西 樹
Micron Technology： http://www.micron.com/