最終更新日 2024年11月23日 9:30

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SanDisk、パフォーマンスを3倍に引き上げた新型NANDフラッシュ「iNAND Extreme」発表

2014.02.24 15:17 更新

2014.02.24 配信

SanDisk Corporation（本社：アメリカ・カリフォルニア州）は2014年2月24日（現地時間）、既存モデルからパフォーマンスを3倍に引き上げた組み込み向けNANDフラッシュ「iNAND Extreme」シリーズを発表した。サンプル出荷はすでに開始され、対応製品は2014年第2四半期より発売が開始される予定。

モバイル端末のパフォーマンスを飛躍的に向上させる新型NANDフラッシュ

SANDISK’S NEXT-GENERATION iNAND EXTREME EMBEDDED FLASH DRIVE TO ENABLE NEW, MORE RESPONSIVE FLAGSHIP ANDROID SMARTPHONES AND TABLETS
http://www.sandisk.com/about-sandisk/press-room/press-releases/2014/sandisks-next-generation-inand-extreme-embedded-flash-drive-to-enable-new-more-responsive-flagship-android-smartphones-and-tablets/

SanDiskの組み込み向けNANDフラッシュメモリ「iNAND Extreme」に、eMMC5.0準拠の新モデルが登場した。

新アーキテクチャと高速NANDを組み合わせることで、既存モデルから読込は3倍、書込は2倍へと大幅に高速化。4K動画や高解像度静止画をストレスなく撮影できるパフォーマンスを実現した。

最大容量は64GB、転送速度はシーケンシャル読込300MB/sec、書込80MB/sec、ランダム読込6,000 IOPS、書込3,000 IOPS。なおサンプル出荷はすでに開始され、2014年第2四半期より搭載製品の発売が開始される予定。

文： GDM編集部池西樹
SanDisk Corporation： http://www.sandisk.com/

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