2014.08.05 14:27 更新
2014.08.05 配信
株式会社HGSTジャパンは、8月6日~7日にかけて米国カリフォルニア州で開催される「2014 Flash Memory Summit」で、ランダムリード300万IOPS、レイテンシ1.5μsを実現したPCI-Express SSDのデモンストレーション実施を発表した。
今回発表されたSSDでは、NANDフラッシュに比べてアクセス速度が非常に高い、1Gbitの「相変化メモリ」(PCM:Phase Change Memory)を採用。さらにメモリ性能を最適化する、低レイテンシのインターフェイスアーキテクチャを組み合わせることで、これまでのSSDでは達成が困難な超高速アクセスを可能にした。
なお今回のSSDには、45nmプロセスのオリジナルコントローラと、1Gbit PCMチップを採用。カード長はフルレングスで、インターフェイスはPCI-Express2.0(x4)が採用されている。
文: GDM編集部 池西 樹
株式会社HGSTジャパン: http://www.hgst.com/portal/site/jp/