「3D TSV」技術を採用した大容量DDR4 RDIMMモジュール

Samsungは、「3D TSV」（Through Silicon Via）技術を採用した、容量64GBのDDR4 RDIMMモジュールの量産開始を発表した。

「3D TSV」技術は、DRAMシリコンを貫通電極にて電気的に接続。これらを内蔵コントローラで直接処理することで、メモリチップの大容量化と高速アクセスを可能にしている。

「3D TSV」では、積層シリコンに直接アクセスできるため、これまでの「wire bonding」に比べてアクセス速度も高速化できるという

ちなみに今回のDDR4 RDIMMモジュールでは、4Gbit DRAMを4枚積層させたチップを採用しているが、Samsungでは今後さらに積層枚数を増やし、大容量化を推し進めていくとしている。

文： GDM編集部 池西 樹
SAMSUNG電子： http://www.samsung.com/