挿入損失とノイズ抑制を世界最小レベルで実現する高周波アンテナスイッチ

4G LTE-Advanced対応スマートフォン向けとなる、高周波アンテナスイッチの新技術が東芝からリリース。多ポート化対応や挿入損失、不要な周波数成分の改善などをコスト効率に優れたアプローチで実現する、新型アンテナスイッチ「SP12T」の製品化に成功した。

独自の高周波スイッチ用SOI（Silicon on insulator）プロセスである「TarfSOI（Toshiba advanced RF SOI）」の高性能化を進め、新世代SOIプロセス「TaRF6」を開発。アナログ/デジタル/高周波回路を1チップに集積することが可能になり、従来型ソリューションに比べ求められる機能を高効率で実現する。

また、新開発した高周波MOS-FETを「SP12T」スイッチに適用。これにより挿入損失（f=2.7GHz）が0.42dB、2次高調波歪（f=900MHz/Pin=25dBm）-90dBmと、それぞれ大幅に低減。スマートフォンの低消費電力化に加え、複数周波数同時利用による通信速度向上技術「Carrier Aggregation」の対応に貢献する。

文： GDM編集部 絵踏 一
株式会社 東芝： http://www.toshiba.co.jp/