3D V-NAND技術採用のエントリーモデル国内発売開始

ワールドワイド向けプレスリリースで既報の、Samsung「SSD 850 EVO」シリーズの国内発売が12月中旬より開始される。容量ラインナップは120GB、250GB、500GB、1TBの4モデル展開。

NANDフラッシュは、メモリセルを積層させた3D V-NAND技術によるTLCメモリを採用。コントローラは500GBまでが「MGX」、1TBモデルは「MEX」で、最大1GBのLPDDR2キャッシュメモリとターボライトテクノロジを組み合わせることで、高速なアクセスを実現した。

主なスペックは、シーケンシャル読込最高550MB/sec、書込最高520MB/sec、ランダム読込最高98,000 IOPS、書込最高90,000 IOPS。MTBFは150万時間、書込耐性は120/250GBで75TBW、500GB/1TBモデルでは150TBWで、製品保証期間は5年間。

消費電力は動作時4.4W/アイドル時50mW/スリープ時2mW（1TBモデルは4mW）。耐振動は20～2,000Hz/20GB、耐衝撃耐性は1,500G/0.5ms。外形寸法は、W69.85×D100×H6.8mm、重量は最大66g。

文： GDM編集部 池西 樹
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