プロセッサのキャッシュメモリに十分な性能を実現

東芝は、新方式磁性体を採用する不揮発性メモリ「STT-MRAM」では世界最速となる、3.3nsアクセスに対応する1Mbメモリの開発に成功したことを発表した。

現在プロセッサ向けキャッシュメモリには、高速な揮発性メモリSRAMが採用されているが、プロセスの微細化や大容量化に伴い、リーク電流による消費電力増加が大きな障害になっている。同社によれば、このキャッシュメモリに「STT-MRAM」を採用することで、リーク電流を排除でき、従来のメモリから消費電力を約80％削減できるとしている。

なお今回開発した磁性体メモリの技術開発は、NEDOのノーマリオフコンピューティング基盤技術開発プロジェクトにて進められており、プロジェクトの最終年度（2015年度）までに、プロセッサ全体の消費電力を10分の1に低減できる不揮発メモリ技術の開発を目指すとしている。

文： GDM編集部 池西 樹
株式会社 東芝： http://www.toshiba.co.jp/