MLC NANDフラッシュ採用のeMMC 5.1メモリと同等の性能を実現

SamsungはTLC NANDフラッシュを採用する、容量128GBのeMMC 5.0メモリを発表した。

現在ハイエンドスマートフォンでは、上位規格eMMC 5.1やUFS 2.0に対応する128GBメモリの採用が進んでいるが、今回発表されたeMMC 5.0メモリを使うことで、ミドルレンジモデルでもストレージ容量の拡大が可能になる。

転送速度は、シーケンシャル読込260MB/sec、ランダム読込6,000 IOPS、書込5,000 IOPSとされ、標準的な外部メモリに比べて4～10倍の高速アクセスが可能。これにより、高解像度の動画再生やマルチタスクパフォーマンスを向上させることができる。

なおSamsungでは今後もTLC NANDのラインナップを拡充し、より競争力のある製品を開発していくとしている。

文： GDM編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/