現行製品に比べ書込性能や信頼性が向上

東芝は48層積層プロセスを採用する「3次元NANDフラッシュメモリ」（BiCS）の開発に成功、本日より128Gbit（16GB）MLCのサンプル出荷を開始する。

メモリセルを積層することで、大容量化を実現する3次元NANDフラッシュメモリは、すでにSamsungから32枚積層の「3D V-NAND」がリリース・製品化されているが、今回の製品では最新プロセスを採用することで、48枚へと積層枚数を増加させた。

さらに現行製品に比べて書き込み速度の高速化や、書き換え寿命の改善など、パフォーマンス・信頼性とも向上しているのが特徴だ。なお同社によれば、今後もフラッシュメモリの3次元積層構造化を進め、SSDを中心とした製品群を展開。さらに2016年前半に竣工予定の四日市工場新・第2製造棟でも「BiCS」の生産が行われる予定。

また共同で開発を進めているSanDiskからも「BiCS」の開発成功がアナウンス。同NANDフラッシュをリムーバブルプロダクトからエンタープライズ向けSSDまで、幅広い製品に採用していくとしている。

※SanDiskからも「BiCS」の開発成功がアナウンスされたため、内容を追記しました。（14:06）

文： GDM編集部 池西 樹
株式会社 東芝： http://www.toshiba.co.jp/