25年ぶりに刷新された新型不揮発性メモリ技術

IntelとMicronは、不揮発性メモリの新技術「3D XPoint」を発表した。急速に増加を続けるデジタルデータを高速かつ安価に保存するために開発された技術で、メインストリーム向けのNANDフラッシュとしては実に25年ぶりとなる新型メモリ。

「3D XPoint」では、メモリセルを高密度に充填する「Cross Point Array Structure」や、メモリダイを積層する「Stackable」構造、さらにメモリセルへのシンプルなアクセスを可能にする「Selector」機能などを組み合わせることで、既存メモリに比べて性能は最大1,000倍、密度は10倍に向上。

これにより、病理学研究のリアルタイム追跡や8K画質の没入型ゲームなど、従来のストレージでは難しかったアプリケーションの作成が可能になるとしている。なお本技術を採用したNANDフラッシュは2015年後期よりサンプル出荷が開始される。

文： GDM編集部 池西 樹
Intel Corporation： http://www.intel.com/
Micron Technology： http://www.micron.com/