48枚のメモリセルを積層する第3世代V-NAND技術を採用

メモリセルを積層する3D V-NANDを積極的に展開するSamsungから、業界初となる「256Gbit版3D V-NANDフラッシュメモリ」の量産開始がアナウンスされた。

今回発表されたメモリは第3世代V-NAND技術を採用。メモリセルの積層枚数を32枚から48枚に増やすことで、これまでの2倍にあたる256Gbit（32GB）の大容量化を実現。さらに消費電力も約30％削減できるとしている。

Samsungでは2015年下半期中に、同NANDフラッシュメモリを採用したコンシューマ向けSSDをリリース予定。さらにPCI-Express / NVMeやSASインターフェイスに対応するエンタープライズ向け製品の提供も予定している。

文： GDM編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/