20nm世代のHET MLC NANDフラッシュ採用により耐久性も向上

NVM Express1.0に準拠するデータセンター向けSSDの新製品。容量は1.6TB、3.2TB、4.0TBの3モデル展開。インターフェイスはPCI-Express3.0（x8）で、フォームファクタはロープロファイルに対応する。

コントローラにはIntel独自の「NVMeデュアルコントローラ」を搭載。シーケンシャル読込最高5,000MB/sec、書込最高3,000MB/sec、ランダム読込最高850,000 IOPS、書込最高150,000 IOPSの高速アクセスが可能。またNANDフラッシュは20nm世代のHET（High Endurance Technology） MLC NANDを採用し、3DWPDに5年間耐えられる高い耐久性を実現した。

その他、エンドツーエンドプロテクション、ECCなどのデータ保護機能や、電源損失保護機能「Enhance Power Loss Management」を搭載。データセンターの信頼性・安定性を損なうことなく、処理性能を劇的に引き上げることができるとしている。

動作温度は0～55℃、耐衝撃性は50G、耐振動性は3.13Grms、消費電力はアイドル時11.5W、アクセス時40W。重量は1.6TBモデルが227.5g、3.2TBモデルが230.2g、4.0TBが230.6g。

文： GDM編集部 池西 樹
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