第1世代HBMインターフェイスの2倍、256Gbpsの広帯域を実現

Samsungは、第2世代HBMインターフェイスに対応するグラフィックスカード向けDRAMメモリの開発に成功、量産を開始した。

HBMは現在主流のGDDR5に比べ、広帯域かつ省スペース化が可能な、グラフィックスカードメモリ用の新インターフェイス。今回Samsungが開発した第2世代HBMでは、初代の2倍にあたる256Gbpsの帯域幅を実現。GDDR5（36Gbps）との比較では7倍以上の帯域幅を誇り、グラフィックスレンダリングや並列コンピューターのパフォーマンスを大幅に向上できるとしている。

製造プロセスは40nm、容量は4GB（8Gbit×4を積層）で、ECC（誤り訂正符号）機能を標準装備。なおSamsungでは、容量8GBのHBM2 DRAMの量産も本年中に開始する予定。このメモリを利用することで、GDDR5に比べメモリ占有スペースは95％以上削減できるとのこと。

文： GDM編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/