SRAMと同等の性能を1/10以下の消費電力で実現

2014年6月に、1Mbの新方式磁性体メモリ「STT-MRAM」の開発に成功した東芝から、容量を約4倍に拡張した4Mbメモリがリリースされた。

本メモリでは、65nm世代のシリコントランジスタ技術が採用され、従来のSRAMに匹敵する3.3nsの高速アクセスを実現。また高速電力遮断・復帰が可能な独自回路やアクセスパターンを予測するアルゴリズムを開発することで、消費電力を10分の1以下に削減することに成功した。

同社によれば、あらゆる現存するSRAMと比較しても世界最高のワットパフォーマンスを実現しており、高性能プロセッサやSoC（System on Chip）の低消費電力化に期待がかかる。

なお今回開発した技術は東京大学と共同で、NEDOのノーマリオフコンピューティング基盤技術開発プロジェクトとして進められており、今後はさらに微細なシリコントランジスタに適合したメモリ技術の開発を進めていくとしている。

文： GDM編集部 池西 樹
株式会社 東芝： http://www.toshiba.co.jp/