SATA3.0 SSDを超える高速転送を実現

業界最大となる容量256GBの「Universal Flash Storage 2.0」（UFS2.0）フラッシュメモリがSamsungからリリースされた。

ハイエンドスマートフォン向けに設計されたメモリで、同社が得意とする積層メモリV-NANDと、専用設計の独自コントローラを1チップに統合。これにより256GBの大容量と、SATA3.0（6Gbps）SSDを超えるシーケンシャル読込850MB/secの高速転送を可能にした。

またランダムアクセス性能も先代モデルの読込19,000 IOPS、書込14,000 IOPSから45,000 IOPS、40,000 IOPSへと向上。本メモリを使用することでスマートフォン自体のパフォーマンスはもちろん、PCとスマートフォンのデータ転送速度も大幅に改善できるとしている。

文： GDM編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/