20nmクラスのDDR4 DRAMに比べて生産性が約30％向上

Samsungは、業界初となる製造プロセス10nmクラスのDDR4 DRAMモジュールの量産を開始した。

本モジュールは、独自セル設計技術に加え、QPT（Quadruple Patterning Technology）リソグラフィーや、超薄型誘電体層沈着技術によって実現され、従来の20nm世代DDR4 DRAMモジュールに比べて生産性は約30％向上。

さらに動作クロックは2,400Mbpsから3,200Mbpsへ、消費電力も10～20％削減でき、コンシューマー向けPCから大規模データセンターに導入されるハイエンドサーバーまで、幅広いシステムでメリットがあるとしている。

なお同社では、今年中に10nm DRAMチップを搭載したメモリとして、ノートPC向け4GBモジュールから、エンタープライズサーバー向けの128GBモジュールまで幅広いラインナップを揃える予定だ。

文： GDM編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/