最大64層の第4世代V-NANDフラッシュメモリを採用

Samsungは、2.5インチサイズでは世界最大となる32TBのSAS SSDを発表した。大規模データーセンターやビッグデータ解析などのエンタープライズ向けモデルで、2017年度の量産を目指し、現在開発が進められている。

NANDフラッシュには最大64枚のメモリセルを積層できる、第4世代V-NANDフラッシュを採用。メモリセル1枚あたりの容量は最大512Gbit、転送速度は800Mbpsの高速アクセスを可能にした。

なお今回発表された32TB SAS SSDでは、512Gbitのメモリセルを16枚積層させた1TB NANDフラッシュを32枚実装。またV-NAND技術の改良により、2020年までには容量100TBの2.5インチSSDの提供を開始する予定。

その他、TLC V-NANDを採用する1TBのシングルチップSSDや、従来モデルよりレイテンシを1/4、シーケンシャルアクセスを4倍に高めた高速NVMe SSD「Z-SSD」も2017年中に正式リリースする予定だ。

文： GDM編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/