10nm世代の最新16Gbit LPDDR4チップを採用

Samsungは10月20日付プレスリリースで、標準的なDDR4メモリの2倍に当たる4,266MHz駆動、容量8GBのLPDDR4メモリの開発に成功したことを発表した。

昨年9月には、製造プロセス20nmの12Gbitチップを採用する、6GB LPDDR4メモリを発表した同社。今回の製品では10nm世代の最新16Gbitチップを採用し、同等の消費電力で大容量化が可能になる。

またチップの厚さもよりスリム化され、ノートPCやタブレットPCのさらなる小型化が可能。さらにこれまでは難しかった仮想環境の使用や、スムーズな4K UHDビデオ再生が可能になるという。

文： GDM編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/