「電圧トルクMRAM」の書き込みのエラー率を低減

東芝は、現在開発中の電圧駆動型新磁気メモリ「電圧トルクMRAM」に対応する新書き込み方式の開発に成功した。

「電圧トルクMRAM」は、従来の電流駆動型磁気メモリ「STT-MRAM」に比べて飛躍的な低駆動電力化が可能になるものの、熱ゆらぎによる書き込みエラーが発生しやすく、これをいかに低減できるかが重要課題だった。

これに対応するため、東芝は書き込み時に印加するパルスの前後に書き込みとは逆極性のパルス電圧を印加する新手法および、書き込み用の回路を開発。これにより1～2Gbitクラスの大容量ラストレベルキャッシュが実現でき、プロセッサの高性能・低消費電力化が期待できるという。

なお本技術の詳細は、12月7日に米国サンフランシスコで開催される半導体国際会議「International Electron Devices Meeting」（IEDM）で発表される予定。

文： GDM編集部 池西 樹
株式会社 東芝： http://www.toshiba.co.jp/