最新機能を盛り込んだ64層3D TLC NANDフラッシュ

Samsungは第4世代V-NANDこと、業界初の64層256Gbit 3D TLC NANDフラッシュの量産開始を発表した。

新NANDでは、セルアレイを貫通するチャネルホールの均一化や、非導電性物質でチャネルホールを覆う最新技術により、セルの電子損失を最小限に抑えることに成功。これにより従来の48層モデルに比べて信頼性は約20％向上しているという。

さらに転送速度は現行最速となる1Gbps、ページプログラム時間500μsという高速アクセスを実現。また入力電圧が3.3Vから2.5Vに低減しており、エネルギー効率も約30％と大幅に引き上げられている。

搭載製品は組み込み型UFSメモリ、SSD、外部メモリカードなどで、今年後半から登場予定。またSamusngでは年末までに64層256Gbit 3D TLC NANDの生産比率を50％以上に高める予定だ。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/