電力効率を高める「TSV」技術採用

東芝は、複数チップの内部を垂直に貫通する電極を用いる「TSV」技術を採用した3D NANDフラッシュ「BiCS FLASH」の開発に成功したことを発表した。

今回発表された製品は、48層積層プロセスの3D TLC NANDをベースにした製品で、「TSV」技術により、従来のワイヤボンディングとの比較で電力効率は約2倍に向上。また総容量1TBの大容量化を実現した。

試作品の提供は6月、サンプル出荷は2017年中より開始され、試作品は8月7日米国サンタクララで開催される「Flash Memory Summit 2017」で展示予定。また東芝では「BiCS FLASH」の製品化を目指し、アクセス遅延時間の低減や、データ転送速度の高速化、消費電力あたりの高いIOPSが必要とされる、エンタープライズSSDなどへの採用を進めて行くとしている。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
東芝メモリ株式会社： https://www.toshiba-memory.co.jp/