超高速ビデオメモリ「HBM2」に容量8GBモデル登場

Samsungは第2世代HBMインターフェイスを採用する、グラフィックスカード向けビデオメモリ「HBM2」に容量を2倍に引き上げた8GBモデルを追加した。

今回発表されたメモリは、8Gbitダイを8枚積層した構造で、TSV（Through silicon via）によって連結。昨年1月にアナウンスされた「HBM2」メモリの2倍の容量を実現した。

メモリ帯域は256GB/secで、過温時にメモリを保護するサーマルスロットリング機能を搭載。また各ダイにはスペアも合わせて5,000個以上のTSVを実装。データ遅延時にはスペアバスを利用することで、安定かつ高速なパフォーマンスを維持できるという。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/