ハイエンドNVMe SSDからレイテンシは1/5以上低減

Intelの3D Xpoint対抗となる超低レイテンシメモリ「Z-NAND」を採用するエンタープライズ向けSSD「SZ985 Z-NAND SSD」をアナウンス。

「Z-NAND」は、Samsung最新世代の3D NANDフラッシュをベースに独自設計を加えた最新NANDフラッシュ。専用コントローラと組み合わせることで、ハイエンドNVMe SSDと比較して1/5以下となる読込12～20μs、書込16μsという低レイテンシ駆動が可能。I/O集中型サーバー（アプリケーション）のパフォーマンスを引き上げることができるとしている。

フォームファクタはHHHL、インターフェイスはPCI-Express3.0（x4）、容量は800GB。転送速度はシーケンシャル読込3.2GB/sec、書込3.2GB/sec、ランダム読込750,000 IOPS、書込170,000 IOPS。書込耐性は30DWPD。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/