64層3D NAND採用で最大256GBの大容量を実現

スマートフォンやタブレット向け1チップストレージ「UFS」の新製品。64層積層プロセスを使用した3D NAND「BiCS　FLASH」を採用し、容量は256GB、128GB、64GB、32GBの計4モデルがラインナップ。

いずれもJEDECが規定する11.5×13mmのコンパクトパッケージに、フラッシュメモリとコントローラーを内蔵。コントローラーにはエラー訂正、ウェアレベリング、論理-物理アドレス変換、不良ブロック管理などの制御機能を備える。

また消費電力を抑制しながら最大5.8Gbps（2レーンモード設定時は11.6Gbps）のインターフェーススピードを実現するHS-GEAR3に準拠。シーケンシャル読込900MB/sec、書込180MB/secの高速転送を可能にした。

なお本日より64GBモデルのサンプル出荷が開始され、12月以降順次出荷モデルは拡大される予定だ。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
東芝メモリ株式会社： https://www.toshiba-memory.co.jp/