転送速度は3,200Mbpsから3,600Mbpsに向上

Samsungは、業界初となる第2世代10nmクラスDDR4メモリ（1-nm）の量産開始を発表した。

昨年4月にアナウンスされた第1世代モデルの後継で、寄生容量を劇的に低減する独自エアスペーサー構造を採用。また各セルに記録されたデータをより正確に保持するデータ感知システムを備えた。

今回発表されたメモリは容量8Gbで、従来モデルに比べて生産性は約30％向上。また先進的な回路設計技術により、転送速度は3,200Mbpsから3,600Mbpsへと約10％、エネルギー効率は約15％向上しているという。

なお同社では、各社CPUメーカーとの協力により、すでに第2世代10nmクラスDDR4メモリの検証を完了。次世代コンピューターシステムを中心に採用される予定とのこと。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/