10nmクラスへの微細化により生産性は約30％向上

Samsungはハイエンド向け次世代グラフィックスメモリ「16Gb GDDR6」の量産開始を発表した。

容量は8Gbから16Gbに、転送速度は8Gbpsから18Gbpsへといずれも約2倍に向上。据え置き型ゲーム機やグラフィックスカードの他、VRやAR、人工知能、車載システムなどでもより高度な処理が可能になる。

また電圧は1.55Vから1.35Vへと約35％低減。さらに製造プロセスは10nmクラスへと微細化されており、20nmプロセスを使用するGDDR5メモリから生産性も約30％高めた。

なおSamsungでは、今後も引き続き「16Gb GDDR6」や昨年7月に発表された「8GB HBM2」のようなハイエンドグラフィックスメモリのラインナップ拡充を進めて行くとしている。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/