従来モデルからランダム読込は1.7倍向上、レイテンシは1/5に短縮

昨年8月の「Flash Memory Summit 2017」でアナウンスされたSamusngのエンタープライズSSD「Z-SSD」が正式発表。詳細スペックが判明した。

NANDフラッシュには一般的なTLC V-NANDに比べて耐久性が高く高速な「Z-NAND」を採用。SSDではトップクラスとなる書込耐性30DWPD（5年間）を実現。800GBモデルの総書き込み容量は42PBにおよび、大量のデータを書き込む必要があるエンタープライズサーバーでも安定した運用が可能となる。

また新設計のコントローラと1.5GBのLPDDR4 DRAMキャッシュを組み合わせることで、従来モデル（NVMe SSD PM963）からランダム読込は1.7倍となる75万IOPS、書込レイテンシは1/5の16μsに短縮。AI解析システムや高速キャッシュ、ログデータ処理用のストレージに向く。

今回発表されたのは800GBモデルで、ランダム書込は17万IOPS、MTBFは200万時間。なお2月11日からサンフランシスコで開催される「ISSCC2018」では、800GBモデルに加えて240GBモデルもお披露目される予定だ。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/