10nmプロセスベースの16Gb LPDDR4 DRAMを搭載

Samsungから、データセンター向け高密度タイプのSSD「PM883」がリリース。LPDDR4 DRAMを搭載した業界初の製品で、従来より低消費電力かつ大容量化を実現する。容量ラインナップは3,840GB（4TB）と7,680GB（8TB）。

2.5インチ形状のドライブで、接続インターフェイスはSATA3.0（6Gbps）に対応。64層V-NANDと、10nmプロセス技術に基づく16Gb LPDDR4 DRAMを搭載する。転送速度は、シーケンシャル読込最大550MB/sec、シーケンシャル書込最大520MB/sec、ランダム読込最大98,000IOPS、ランダム書込最大28,000IOPS。
　なお、書込耐性は5,466～10,932TBW。消費電力は待機時2.8W、書込時3.7Wとされる。

また、Samsungは3月20日より開催される「OCP U.S. SUMMIT 2018（2018 Open Compute Project）」にて、新小型フォームファクタの「Samsung NF1 SSD」を展示予定。以前に「NGSFF SSD」として発表された30.5×110×4.38mm基板のSSD製品で、従来のM.2 SSDの4倍、U.2 SSDの約6倍の記憶容量を実現するとしている。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 絵踏 一
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/