64層の先代V-NANDから転送速度は40％向上

Samsungは、業界初となるToggle DDR 4.0インターフェイスを採用する第5世代V-NANDフラッシュの量産開始を発表した。

最新インターフェイスの採用により、ストレージとメモリ間のデータ転送速度は64層チップの先代モデルから40％高速な1.4Gbpsを達成。データ書き込み速度も約30％改善され500μsに、読込の応答速度も50μs短縮されているという。

さらに業界最大90層以上の3D CTF（Charge Trap Flash）をピラミッド構造で搭載することでる850個以上のセルを内蔵。一方、動作電圧は1.8Vから1.2Vへと削減され、エネルギー効率は先代と同等レベルに抑えることに成功した。

また原子層堆積プロセスの強化により生産性は30％以上向上している他、各セル層の高さは20％削減され、セル間のクロストークを防ぎ、チップのデータ処理効率も高められている。

なお今回発表された製品は256GbitのTLCタイプだが、同社では1Tbitの大容量モデルやQLCタイプの第5世代V-NANDを準備中だ。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/