最新フラッグシップスマホの1.5倍高速。最大30％の省電力化も実現

Samsungより、業界初となる10nmクラスの製造プロセスを採用した「8Gb LPDDR5 DRAM」が発表。次世代スマートフォンや車載システムにおける、5GおよびAI技術搭載のモバイルアプリケーション向けに提供される。

新しいDRAMチップは、最大6,400Mbit/secのデータ転送レートを実現。LPDDR4Xを搭載した現行モバイルフラッグシップ端末の1.5倍もの速さで、1秒間に51.2GBのデータまたは14のフルHD動画ファイルを転送できる。

DRAMセル内の細分化されたメモリバンク数は、従来の8から16へと倍増。消費電力を抑えつつ高速化を達成している。また、対応するプロセッサの動作速度に合わせて電圧を下げる省電力技術を搭載。従来のアイドルモードから消費電力を半減、最大30％の省電力化を果たした「ディープスリープモード」に対応し、スマートフォンのバッテリー寿命の延長にも貢献する。

なお、1.1V動作で最大6,400Mbit/sec、1.05V動作で5,500Mb/secのデータレート別2タイプをラインナップ。8枚のチップで構成された、プロトタイプの「8GB LPDDR5 DRAM」パッケージによる機能テストと検証がすでに完了している。今後同社の最新ラインにて、次世代DRAMラインナップの量産が開始される予定だ。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 絵踏 一
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/