現行フラッグシップスマホから大幅なスリム化、省電力化を可能にするDRAM技術

Samsungより、業界初となる10nmクラス第2世代（1y-nm）の製造プロセスを用いた「16Gb LPDDR4X DRAM」の開発がアナウンス。ハイエンド向けのプレミアムスマートフォンの効率改善によるスリム化、より省電力な設計が可能になる。

新しいDRAMチップは4,266Mbit/secのデータ転送レートを実現、現行のフラッグシップスマートフォン（1x-nm 16Gb LPDDR4X）から約10％の性能改善を見込む。第1世代から20％のパッケージを縮小しつつ、1秒間に34.1GBのデータ転送が可能という。

なお、SamsungではLPDDR4Xの開発技術向上により、4GB/6GB/8GBのLPDDR4Xパッケージを含む大容量DRAMを提供。10nmクラス第2世代のDRAM開発のため、新しい開発ラインが稼働を始めている。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 絵踏 一
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/