2018.08.07 11:08 更新
2018.08.06 配信
Samsungは、1つのセルに4bitのデータを保存できるQLC方式のV-NANDフラッシュを採用するコンシューマ向け2.5インチSATA3.0(6Gbps)SSDの量産を開始した。製品の発売は2018年後半予定。
製造ノードは1チップに64層のダイを積層させた第4世代V-NANDで、1チップあたりの容量は1Tb。ラインナップは1TB、2TB、4TBの3モデル展開で、独自コントローラと「TurboWrite Technology」を組み合わせることで、QLC V-NANDの欠点であるパフォーマンスを改善。TLCモデルと同等となるシーケンシャル読込540MB/sec、書込520MB/secの高速データ転送を可能にした。
なおSamsungでは、年内にも第5世代QLC V-NANDを使用したM.2 NVMe SSDの量産開始を予定しており、コンシューマ向けだけでなく、データセンターやエンタープライズサーバーにもQLC V-NANDモデルを順次投入していくという。
文: エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,: http://www.samsung.com/