Floating Gate方式からチップサイズは30％以上削減

SK Hynixから、CTF（Charge Trap Flash）技術を採用する、96層構造の512Gb TLC NANDフラッシュ「CTF-based 4D NAND Flash」がリリース。

「CTF-based 4D NAND Flash」では、メモリセルに現在主流のFloating Gateではなく、構造が簡単でより微細化が可能なCharge Trap Flashを採用するのが特徴。これにより、従来の72層512Gb 3D TLC NANDフラッシュと比較して、チップサイズは30％以上を削減しており、ウェハーあたりのビット生産性を49％も高めることができるという。

また転送速度は書込が30％、読込が25％向上。さらにマルチゲート・インシュレータ・アーキテクチャの導入により、データ入出力（入力出力）速度は1.2V駆動で、1,200Mbpsに達するとしている。

搭載製品は、まず今年中に1TBのクライアント向けSSDが投入され、2019年後半にはエンタープライズ向けSSDを投入予定。また2019年中には、96層1TbのTLC/QLC NANDフラッシュも本格展開される予定だ。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
SK Hynix： http://www.skhynix.com/