28nm FD-SOIプロセスを採用した高速不揮発性メモリ

Samsungは、28nmプロセスの完全空乏型シリコンオンインシュレータ（FD-SOI）を採用した初の商用向け「eMRAM」（磁気ランダムアクセスメモリ）の量産を開始したと発表した。

今回量産が開始された「eMRAM」では、NAND FlashやNOR Flashと異なりデータ書き込み時に消去サイクルが必要ないことから、書込速度は約1,000倍も高速。さらに電圧も低く、パワーオフモード時には電力を消費しないため、電力効率も大幅に向上できる。

書込速度は、NAND FlashやNOR FlashなどのeFlashより約1,000倍も高速	書き込み時の電力消費も、旧世代の組み込み向けメモリの1/400に抑えられるという

またトランジスタ制御やボディバイアス制御の改良によりリーク電流も大幅に低減しており、「MCU」（マイクロコントローラユニット）や「IoT」（モノのインターネット）、「AI」（人工知能）など、さまざまなアプリケーションに活用できるとしている。

なおSamsungでは、「eMRAM」の高密度・大容量化を進めており、今年中に容量1Gbのテストチップをテープアウトできる予定とのこと。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/