1z-nm製造プロセスを採用したDDR4メモリ

Samsungは、業界初となる第3世代10nmクラスDDR4メモリを発表した。製造プロセスは1z-nmで、「Extreme Ultra-Violet」（EUV）露光技術は非採用。

今回発表されたメモリは容量8Gbで、従来の第2世代（1y-nmプロセス）DRAMに比べて生産性は20％以上も向上。さらにパフォーマンスや電力効率も改善されており、2020年に登場予定の次世代エンタープライズサーバーやハイエンドPCに対応する。

なおSamsungによれば、第3世代10nm世代メモリは現在CPUメーカーとの検証を進めており、2019年後半には量産が開始される予定だ。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/