5μs以下の超低レイテンシ動作に対応

「XL-FLASH」は、メインメモリとストレージのスピードギャップを埋めるべく開発された、ストレージクラスメモリ（SCM）の新製品。

信頼性・耐久性に優れ、高速な1ビットセルであるSLCと、96層積層プロセスを採用する3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の技術を組み合わせた製品で、並列処理に優れた16物理プレーン構造を採用する。

さらに高速化を可能にする回路技術により、従来のTLCタイプに比べて読込時のレイテンシは約10倍高速な5μs以下を実現。一方、DRAMメモリに比べて低コストかつ大容量化が可能になるという。

なお一部OEM向けには今年9月から128Gbチップのサンプル出荷が開始され、量産開始は2020年になる予定だ。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
東芝メモリ株式会社： https://www.toshiba-memory.co.jp/