既存V-NANDから約40％の高密度化を実現

Samsungは、業界初となる100層オーバーの第6世代V-NANDフラッシュを採用したSATA3.0（6Gbps）SSDの量産開始を発表した。

今回発表されたNANDフラッシュは136層構造の256Gbitモデルで、従来の90層クラスの製品と比較して約40％の高密度化を実現。またデータ転送速度を最適化する独自回路設計によって、書込操作は450μs未満、読込操作は45μs未満を達成。従来モデルとの比較では転送速度は10％以上引き上げられている一方で、消費電力は15％以上削減した。

なおこの独自回路設計により、信頼性を損なうことなく3枚のスタックに対応し、300層以上のV-NANDソリューションを提供することができるという。

また同社では、今年後半を目処にV-NAND技術を採用した512Gbit SSD/eUFSを提供予定。さらに来年には、より高速・大容量な第6世代V-NANDソリューションの生産を拡大するとしている。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/