従来の1Ynmから生産性は約27％向上

SK Hynixは最新1Znm世代を採用する最大転送速度3,200Mbps、容量16GbのDDR4 DRAMチップの開発に成功したことを発表した。

従来の1Ynm世代モデルから生産性は約27％向上している一方で、電力消費は約40％も低減。さらにコストの掛かる極端紫外線（EUV）リソグラフィを必要としないため、価格も抑えることができるとしている。

なお量産開始は2020年中を予定しており、今後は、次世代モバイルDRAMであるLPDDR5や、超高速DRAMのHBM3などでも、1Znmテクノロジーを採用していくとのこと。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
SK Hynix： http://www.skhynix.com/