レイテンシは読込・書込とも8μs以下

Micronから同社初の3D XPoint採用NVMe SSD「X100 NVMe SSD」が発表された。データセンター向けのハイエンドモデルで、特定顧客向けのサンプル出荷は2019年Q4より開始される。

シーケンシャルアクセスは最高9GB/sec、ランダムアクセスは最高250万IOPSとされ、いずれも現行のSSDに比べて約3倍も高速。さらにレイテンシはNAND SSDの約11倍となる読込・書込とも8μs以下とされ、広帯域かつ低遅延なストレージが要求されるビッグデータアプリケーションや、トランザクション処理などをさらに高速化できる。

インターフェイスはNVMeで、ソフトウェアやハードウェアを変更することなく既存環境をそのまま流用可能。さらに3D XPointを採用したことで、パフォーマンスを維持するためのオーバープロビジョニング領域が不要になっているのも特徴だ。

なおその他詳細スペックについては現時点で明らかにされていない。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Micron Technology： http://www.micron.com/