書込耐性、転送速度とも向上したエントリーNVMe M.2 SSD

IntelのエントリーNVMe M.2 SSD「SSD 6」シリーズから、96層QLC NANDフラッシュを採用した最新モデル「SSD 665p」が登場した。

最新QLC NANDフラッシュを採用したことで、書込耐性は従来モデル「SSD 660p」の1.5倍となる400TB→600TBWに向上。またシーケンシャルアクセスは最高1,800MB/sec→2,000MB/secへ、ランダムアクセスは最高220,000IOPS→250,000IOPSへとそれぞれ引き上げられている。

容量ラインナップは1TBと2TBの2モデル。転送速度は1TBがシーケンシャル読込2,000MB/sec、書込1,925MB/sec、ランダム読込160,000IOPS、書込250,000IOPS、2TBがそれぞれ2,000MB/sec、2,000MB/sec、250,000IOPS、250,000IOPS。

インターフェイスはPCI-Express3.0（x4）、フォームファクタはM.2 2280、MTBFは160万時間で製品保証は5年間。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Intel Corporation： http://www.intel.com/