2020.01.31 10:08 更新
2020.01.31 配信
Western Digitalおよびキオクシアは、112層積層プロセスを採用した第5世代3D NANDフラッシュ「BiCS5」を発表。すでに512Gb TLCチップの初期生産は開始され、量産は2020年後半予定。
回路技術やプロセスの最適化により、チップサイズの小型化に成功。96層積層プロセスを使用した従来の「BiCS4」と比べて単位面積あたりのメモリ容量は約20%向上。これにより1枚のシリコンウェハーから生産されるメモリ容量を増やし、ビットあたりのコスト削減が可能になるという。
またインターフェース性能も50%引き上げられ、プログラム性能やリード性能の高速化も期待できる。
なお生産は、四日市工場(三重県)、および北上工場(岩手県)で行われ、今後は1TbのTLCや、1.33TbのQLCの製品化も計画されている。
文: エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Western Digital Corporation: http://www.wdc.com/
キオクシア株式会社: https://business.kioxia.com/